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        2. 長光華芯 深耕半導體激光芯片領域

             日期:2023-11-03     來源:網絡整理    作者:佚名     移動:http://mip.5114.net/news/720162.html
          核心提示:長光華芯 深耕半導體激光芯片領域長光華芯聚焦半導體激光行業,經多年發展,目前已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣,為半導體激光行業的垂直產業鏈公司。

          長光華芯 深耕半導體激光芯片領域

          ● 本報記者 高佳晨

          日前,長光華芯科創板IPO提交注冊。公司主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率VCSEL系列產品及光通信芯片系列產品等,可應用于激光智能制造裝備、國家戰略高技術、科學研究、醫學美容等領域,逐步實現半導體激光芯片自主可控。公司本次擬募資13.48億元,用于高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充等項目。

          擁有多項關鍵核心技術

          長光華芯聚焦半導體激光行業,經多年發展,目前已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣,為半導體激光行業的垂直產業鏈公司。

          公司表示,經過多年的研發和產業化積累,針對半導體激光行業核心的芯片環節,公司已建成覆蓋芯片設計、外延、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和3吋、6吋量產線。

          據介紹,目前3吋量產線為半導體激光行業內的主流產線規格,而6吋量產線為該行業內最大尺寸的產線,相當于硅基半導體的12吋量產線114,應用于多款半導體激光芯片開發,突破一系列關鍵技術。同時,依托公司半導體激光芯片的技術優勢,公司業務向下游延伸,開發器件、模塊及終端直接半導體激光器,上下游協同發展,在半導體激光行業的綜合實力逐步提升。

          公司擁有多項關鍵核心技術,包括器件設計及外延生長技術、FAB晶圓工藝技術、腔面鈍化處理技術、高亮度合束及光纖耦合技術等。公司產品在功率、電光轉換效率、壽命等方面屢次實現技術突破。隨著生產技術不斷提高及生產工藝不斷改進,2018年至2020年,公司激光芯片生產的良率不斷提高,復合增長率達到33.40%。良率是提高芯片產量、降低生產成本的重要因素。

          招股書顯示,公司本次擬募資13.84億元,主要用于高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目;垂直腔面發射半導體激光器(VCSEL)及光通訊激光芯片產業化項目;研發中心建設項目等。公司表示,募集資金項目的建設達產將進一步擴大公司產能,提高公司的銷售規模和市場占有率,提升公司競爭力。

          半導體激光芯片技術領先

          招股書顯示,公司系半導體激光行業全球少數具備高功率激光芯片量產能力的企業之一,打破了我國激光行業上游核心環節半導體激光芯片依賴國外進口的局面,逐步實現半導體激光芯片的自主可控。

          自設立以來,公司獨立承擔、牽頭主持或參與國家科技部“十三五”國家重點研發計劃項目等眾多國家級科技攻關項目,設立了國家級博士后工作站、江蘇省博士后創新實踐基地、江蘇省工程技術中心、江蘇省研究生工作站及蘇州市工程技術中心等。

          公司表示,針對半導體激光行業應用場景多元化、復雜化的發展趨勢,公司憑借在高功率半導體激光芯片領域的技術積累,構建了GaAs(砷化鎵)和InP(磷化銦)兩大材料體系,建立了邊發射和面發射兩大工藝技術平臺,縱向延伸開發器件、模塊及直接半導體激光器等下游產品,橫向擴展VCSEL芯片及光通信芯片領域。

          在外延方面,公司通過非對稱的波導結構設計,解決了一次外延技術的難點,并率先提出并采用分布式載流子注入技術,進一步提升半導體激光器的輸出功率。

          此外,公司采用腔面鈍化處理技術率先提出自主創新的腔面鈍化及窗口制備方案,制備高穩定性及高重復性的寬帶隙腔面無吸收窗口結構,大幅降低了激光器腔面的激光吸收從而減少熱量產生,提高芯片抗損傷閾值,最終實現芯片輸出功率及可靠性的提升。

          目前,公司半導體激光單管芯片可實現30W的高功率激光輸出,半導體激光巴條芯片可實現50W-250W的連續激光輸出及500W-1000W的準連續激光輸出,產品性能指標居于國內領先、國際先進水平。

          存在產品價格下降等風險

          報告期內(2018年-2020年及2021年1-6月),公司分別實現營收9243.44萬元、1.39億元、2.47億元及1.91億元;凈利潤分別為-1.44億元、-1.29億元、5.39萬元、5580萬元。

          公司在招股書中表示長光華芯 深耕半導體激光芯片領域,報告期內,受產業鏈整體價格下降以及國內外廠商的競爭策略影響,公司單管芯片產品價格分別為42.44元/顆、31.95元/顆、18.95元/顆和14.10元/顆,光纖耦合模塊產品價格分別為3511.26元/個、3176.64元/個、2758.52元/個和2641.23元/個,呈下降趨勢。

          公司表示,若未來產品價格持續下降,而公司未能采取有效措施,鞏固和增強產品的綜合競爭力、降低產品生產成本,公司可能難以有效應對產品價格下降的風險,導致利潤率水平有所降低。

          同時,公司提示,報告期各期末,公司存貨賬面價值分別為3948.4萬元、7041.71萬元、9905.94萬元及12055.04萬元,占凈資產的比例分別為39.39%、27.69%、19.40%和21.42%。

          公司表示,若客戶單方面取消訂單,或因客戶自身需求變更等因素減少訂單計劃,可能導致公司存貨的可變現凈值低于成本;另一方面,公司近年來新建廠房和購置生產相關設備資產,投入較大半導體激光器封裝技術,使得固定成本提高較多,若公司產品產量因市場需求波動出現大幅減少,或因下游競爭日趨激烈而出現大幅降價,將可能使得該產品可變現凈值低于成本半導體激光器封裝技術,對公司的經營業績產生不利影響。

          此外,公司股權相對分散,不存在控股股東和實際控制人。

          好了,今天的分享就到此為止,感謝您的查閱!

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